N-channel MOS type field effect transistor The part 2SK2157-T1 is a MOSFET manufactured by NEC. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 60V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **Drain Current (Id)**: 12A
- **Power Dissipation (Pd)**: 30W
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.045Ω (max) at Vgs = 10V, Id = 6A
- **Gate Threshold Voltage (Vth)**: 1.0V to 2.5V
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1200pF (typ)
- **Output Capacitance (Coss)**: 300pF (typ)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 50pF (typ)
- **Package**: TO-220AB

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and represent the key electrical and thermal characteristics of the 2SK2157-T1 MOSFET.