Silicon N-Channel Power F-MOS FET The part 2SK2130 is a MOSFET transistor manufactured by Panasonic. Below are the key specifications:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V
- **Drain Current (I_D)**: 3A
- **Power Dissipation (P_D)**: 1W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.5Ω (typical)
- **Package**: TO-92
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed performance characteristics, refer to the official Panasonic datasheet.

Silicon N-Channel Power F-MOS FET The 2SK2130 is a MOSFET transistor manufactured by Panasonic. Here are the key specifications:

- **Type:** N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds):** 60V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **Drain Current (Id):** 12A
- **Power Dissipation (Pd):** 30W
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.035Ω (typical) at Vgs = 10V
- **Gate Charge (Qg):** 18nC (typical) at Vds = 30V, Id = 12A
- **Package:** TO-220F

These specifications are based on the typical operating conditions provided by Panasonic for the 2SK2130 MOSFET.