Silicon N-Channel Power F-MOS FET Part number 2SK2126 is a MOSFET manufactured by ROHM Semiconductor. Below are the key specifications for the 2SK2126:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V
- **Drain Current (I_D)**: 5A
- **Power Dissipation (P_D)**: 2W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.2Ω (typical) at V_GS = 10V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 1.5V (typical)
- **Package**: TO-220F

These specifications are based on the standard operating conditions provided by ROHM. For detailed performance characteristics and application notes, refer to the official datasheet from ROHM.