Silicon N-Channel Power F-MOS FET **Introduction to the 2SK2123 MOSFET by Panasonic**  

The **2SK2123** is a high-performance N-channel MOSFET developed by Panasonic, designed for efficient power switching applications. This component features a low on-resistance (RDS(on)) and fast switching capabilities, making it suitable for use in power supplies, motor control circuits, and DC-DC converters.  

With a drain-source voltage (VDS) rating of 30V and a continuous drain current (ID) of up to 30A, the 2SK2123 offers reliable performance in medium-power applications. Its compact package ensures space-efficient PCB integration while maintaining effective thermal dissipation.  

Key advantages of the 2SK2123 include its low gate charge (Qg) and high-speed switching characteristics, which contribute to reduced power losses and improved energy efficiency. Additionally, its robust construction enhances durability in demanding environments.  

Engineers and designers often select the 2SK2123 for its balance of performance, reliability, and cost-effectiveness. Whether used in industrial automation, consumer electronics, or automotive systems, this MOSFET provides a dependable solution for power management needs.  

For detailed specifications, always refer to the official datasheet to ensure compatibility with specific circuit requirements.

Silicon N-Channel Power F-MOS FET The part 2SK2123 is a MOSFET transistor manufactured by Panasonic. Below are the key specifications based on Ic-phoenix technical data files:

- **Type:** N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds):** 60V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **Drain Current (Id):** 3A
- **Power Dissipation (Pd):** 1W
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.35Ω (typical) at Vgs = 10V
- **Gate Threshold Voltage (Vth):** 1.0V to 2.5V
- **Package:** TO-92
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 2SK2123 MOSFET as provided by Panasonic.