2SK2123.Manufacturer: Panasonic Silicon N-Channel Power F-MOS FET | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
2SK2123.,2SK2123 | Panasonic | 50 | In Stock |
Description and Introduction
Silicon N-Channel Power F-MOS FET **Introduction to the 2SK2123 MOSFET by Panasonic**  
The **2SK2123** is a high-performance N-channel MOSFET designed by Panasonic for efficient power management in various electronic applications. Known for its low on-resistance and fast switching capabilities, this component is well-suited for power supply circuits, motor control, and DC-DC converters.   With a drain-source voltage (VDSS) rating of **30V** and a continuous drain current (ID) of **30A**, the 2SK2123 delivers reliable performance in demanding environments. Its low threshold voltage ensures compatibility with logic-level control signals, making it ideal for modern low-voltage systems. Additionally, the MOSFET features a compact **TO-220F** package, providing excellent thermal dissipation and mechanical durability.   Engineers favor the 2SK2123 for its balance of efficiency and robustness, reducing power losses while maintaining stable operation under high-current conditions. Whether used in industrial automation, automotive electronics, or consumer devices, this MOSFET offers a dependable solution for enhancing circuit performance.   Panasonic's commitment to quality ensures that the 2SK2123 meets stringent reliability standards, making it a trusted choice for designers seeking high-efficiency power switching components. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips