Silicon N-Channel Power F-MOS FET The **2SK2123** is a high-performance N-channel MOSFET developed by Panasonic, designed for efficient power management and switching applications. This electronic component is known for its low on-resistance and high-speed switching capabilities, making it suitable for a variety of circuits, including power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

With a drain-source voltage (V_DSS) rating of 30V and a continuous drain current (I_D) of up to 30A, the 2SK2123 offers robust performance in compact designs. Its low gate charge and threshold voltage contribute to reduced power losses, enhancing energy efficiency in electronic systems.  

The MOSFET is housed in a TO-220F package, providing effective thermal dissipation while maintaining a compact footprint. Engineers and designers often select the 2SK2123 for its reliability, durability, and ability to handle high-current applications with minimal heat generation.  

As part of Panasonic’s extensive semiconductor portfolio, the 2SK2123 exemplifies the company’s commitment to delivering high-quality power components that meet the demands of modern electronics. Its balanced performance characteristics make it a versatile choice for both industrial and consumer applications.