N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING The part number 2SK211-0 is a field-effect transistor (FET) manufactured by TOSHIBA. It is an N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** 60V
- **Drain Current (Id):** 1A
- **Power Dissipation (Pd):** 1W
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **On-Resistance (Rds(on)):** 3.5Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss):** 30pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 10pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 5pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 20ns (typical)
- **Package:** TO-92

This transistor is commonly used in low-power switching applications, such as in portable electronics and small signal amplification circuits.