N-channel MOS-type silicon field effect transistor The part 2SK2090-T1 is a MOSFET transistor manufactured by NEC. It is designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** 60V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **Drain Current (Id):** 1.5A
- **Power Dissipation (Pd):** 1W
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.5Ω (max) at Vgs = 10V, Id = 1A
- **Input Capacitance (Ciss):** 100pF (typ)
- **Output Capacitance (Coss):** 30pF (typ)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 10pF (typ)
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 20ns (typ)
- **Package:** SOT-23

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environmental factors.