Power MOS FET The part 2SK2061 is a MOSFET transistor manufactured by Toshiba. It is an N-channel enhancement mode silicon field-effect transistor designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V
- **Drain Current (I_D)**: 3A
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.5W
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.5Ω (max) at V_GS = 10V, I_D = 1.5A
- **Input Capacitance (C_iss)**: 150pF (typ)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 50pF (typ)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 20pF (typ)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typ)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 30ns (typ)
- **Package**: TO-92

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions.