Field Effect Transistor / Silicon N Channel MOS Type The part number 2SK2057 is a MOSFET transistor manufactured by TOSHIBA. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 60V
- **Drain Current (Id)**: 12A
- **Power Dissipation (Pd)**: 30W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.035Ω (max) at Vgs = 10V, Id = 6A
- **Package**: TO-220SIS

These specifications are based on the standard datasheet information provided by TOSHIBA for the 2SK2057 MOSFET.

Field Effect Transistor / Silicon N Channel MOS Type The part number 2SK2057 is a MOSFET transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 60V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **Drain Current (Id)**: 30A
- **Power Dissipation (Pd)**: 100W
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.025Ω (typical) at Vgs = 10V
- **Gate Charge (Qg)**: 50nC (typical) at Vds = 30V, Id = 15A
- **Input Capacitance (Ciss)**: 2000pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 500pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 100pF (typical)
- **Package**: TO-220SIS

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.