Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications The part number 2SK2037 is a MOSFET transistor manufactured by Toshiba. Below are the key specifications for the 2SK2037:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 600V
- **Drain Current (Id)**: 10A
- **Power Dissipation (Pd)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±30V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.45Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1200pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 150pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 20pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 20ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 60ns (typical)
- **Package**: TO-220SIS

These specifications are based on the typical values provided by Toshiba for the 2SK2037 MOSFET.

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications The part 2SK2037 is a MOSFET transistor manufactured by Toshiba. According to the TOS (Toshiba) specifications, the 2SK2037 is an N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. Key specifications include a drain-source voltage (Vds) of 500V, a continuous drain current (Id) of 10A, and a power dissipation (Pd) of 50W. It features a low on-resistance (Rds(on)) of 0.45Ω and is housed in a TO-220SIS package. The device is suitable for use in power supply circuits, inverters, and other high-voltage applications.