N-channel MOS-FET The part 2SK2018-01L is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by FUJI. It is designed for high-speed switching applications. The key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** 500V
- **Drain Current (Id):** 8A
- **Power Dissipation (Pd):** 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.9Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss):** 1000pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 200pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 20ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns (typical)
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C

These specifications are typical for the 2SK2018-01L MOSFET and are subject to variation based on operating conditions and manufacturing tolerances.