Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type Audio Frequency Power Amplifier Application The 2SK2013 is a power MOSFET manufactured by TOSHIBA. Here are the key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 900V
- **Drain Current (I_D)**: 5A
- **Power Dissipation (P_D)**: 100W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 2.5Ω (typical) at V_GS = 10V
- **Input Capacitance (C_iss)**: 600pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 90pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 10pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 20ns (typical)
- **Rise Time (t_r)**: 50ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 100ns (typical)
- **Fall Time (t_f)**: 50ns (typical)

These specifications are based on TOSHIBA's datasheet for the 2SK2013 MOSFET.

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type Audio Frequency Power Amplifier Application The part 2SK2013 is a MOSFET transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 900V
- **Drain Current (Id)**: 5A
- **Power Dissipation (Pd)**: 100W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±30V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 2.5Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1100pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 150pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 20pF (typical)
- **Package**: TO-3P

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions specified therein.