N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications The 2SK2012 is a power MOSFET manufactured by SANYO. Here are the key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 500V
- **Drain Current (Id)**: 10A
- **Power Dissipation (Pd)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.45Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1200pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 200pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 30pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 20ns (typical)
- **Rise Time (tr)**: 50ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 100ns (typical)
- **Fall Time (tf)**: 50ns (typical)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on typical operating conditions and may vary depending on the specific application and environment.