N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Part 2SK2012 is a field-effect transistor (FET) manufactured by SANYO. It is an N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** 60V
- **Drain Current (Id):** 2A
- **Power Dissipation (Pd):** 1W
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.5Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss):** 50pF (typical)
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

The transistor is commonly used in power management, DC-DC converters, and other high-efficiency switching circuits. It is available in a TO-92 package.