N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications The part 2SK2011 is a MOSFET transistor manufactured by SANYO. It is designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** 60V
- **Drain Current (Id):** 10A
- **Power Dissipation (Pd):** 30W
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.05Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss):** 1000pF (typical)
- **Package:** TO-220

These specifications are typical for the 2SK2011 MOSFET, and actual performance may vary based on operating conditions.