N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications The part 2SK2010 is a Power MOSFET manufactured by SANYO. It is designed for high-speed switching applications and features a low on-resistance, making it suitable for power management and amplification tasks. The device is typically used in power supplies, motor control, and other high-efficiency applications. Key specifications include a drain-source voltage (Vds) of 60V, a continuous drain current (Id) of 10A, and a power dissipation (Pd) of 30W. The MOSFET operates with a gate-source voltage (Vgs) of ±20V and has a low threshold voltage (Vth) for efficient switching. The package type is TO-220, which is a common through-hole package for power devices.