N-channel MOS-FET The **2SK2003-01MR** is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient switching and amplification applications in electronic circuits. Known for its low on-resistance and high-speed switching capabilities, this component is widely used in power supplies, motor control systems, and DC-DC converters.  

With a robust voltage and current rating, the **2SK2003-01MR** ensures reliable operation in demanding environments. Its compact surface-mount package (TO-252) makes it suitable for space-constrained designs while maintaining excellent thermal dissipation properties. Engineers favor this MOSFET for its ability to minimize power losses, enhancing overall system efficiency.  

Key features include a low threshold voltage, which simplifies drive circuit design, and a high drain-source breakdown voltage, ensuring stability under varying load conditions. Additionally, its fast switching response reduces switching losses, making it ideal for high-frequency applications.  

Whether used in industrial automation, automotive electronics, or consumer devices, the **2SK2003-01MR** delivers consistent performance and durability. Its combination of electrical efficiency and thermal management makes it a preferred choice for modern power electronics.  

For detailed specifications, always refer to the manufacturer’s datasheet to ensure compatibility with your application requirements.

N-channel MOS-FET The part 2SK2003-01MR is a power MOSFET manufactured by FUJI. Below are the factual specifications based on Ic-phoenix technical data files:

- **Manufacturer**: FUJI
- **Part Number**: 2SK2003-01MR
- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 500V
- **Drain Current (Id)**: 10A
- **Power Dissipation (Pd)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.45Ω (typical)
- **Package**: TO-220F

These specifications are based on the available data for the 2SK2003-01MR MOSFET.

N-channel MOS-FET The part 2SK2003-01MR is a power MOSFET manufactured by FUJITSU. Below are the factual specifications based on Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 500V
- **Drain Current (Id)**: 10A
- **Power Dissipation (Pd)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.5Ω (typical)
- **Package**: TO-220F
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 2SK2003-01MR MOSFET as provided by FUJITSU.