Silicon N-Channel MOS FET The part 2SK1968 is a Field Effect Transistor (FET) manufactured by HITACHI. It is an N-channel silicon epitaxial planar type FET. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (VDS):** 50V
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V
- **Drain Current (ID):** 50mA
- **Power Dissipation (PD):** 200mW
- **Gate-Source Cut-off Voltage (VGS(off)):** -0.5V to -6V
- **Drain-Source On Resistance (RDS(on)):** 35Ω (max)
- **Input Capacitance (Ciss):** 5pF (max)
- **Output Capacitance (Coss):** 2pF (max)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 0.5pF (max)

These specifications are typical for the 2SK1968 FET as provided by HITACHI.