N Channel enhancement MOS FET The part 2SK1959-T1 is a MOSFET transistor manufactured by NEC. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 60V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **Drain Current (Id)**: 5A
- **Power Dissipation (Pd)**: 20W
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.3Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 300pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 100pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 20pF (typical)
- **Package**: TO-220AB

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions outlined in the documentation.