N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING The part 2SK1958 is a Silicon N-Channel MOS FET manufactured by NEC. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vdss):** 60V
- **Gate-Source Voltage (Vgss):** ±20V
- **Drain Current (Id):** 3A
- **Power Dissipation (Pd):** 20W
- **Drain-Source On-Resistance (Rds(on)):** 0.3Ω (max)
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typ)
- **Output Capacitance (Coss):** 100pF (typ)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 20pF (typ)
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 25ns (typ)

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.