Silicon N-Channel MOS FET The 2SK1947 is a power MOSFET manufactured by Renesas Electronics. Below are the key specifications based on Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 500V
- **Drain Current (I_D)**: 10A
- **Power Dissipation (P_D)**: 100W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.45Ω (typical)
- **Package**: TO-220F
- **Applications**: Suitable for switching power supplies, motor control, and other high-voltage, high-current applications.

These specifications are based on Renesas' datasheet for the 2SK1947 MOSFET.

Silicon N-Channel MOS FET The 2SK1947 is a power MOSFET manufactured by Hitachi. Here are the key specifications:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 500V
- **Drain Current (Id)**: 8A
- **Power Dissipation (Pd)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.9Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1200pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 200pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 30pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 15ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 50ns (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.