N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET The **2SK1946-01MR** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. Known for its low on-resistance and high-speed switching capabilities, this component is widely used in power supplies, motor control circuits, and DC-DC converters.  

With a robust voltage rating and efficient thermal characteristics, the 2SK1946-01MR ensures reliable operation in demanding environments. Its compact surface-mount package (TO-252) makes it suitable for space-constrained designs while maintaining excellent power dissipation.  

Key features include a low gate charge, which minimizes switching losses, and a high drain current capacity, enabling efficient power handling. Engineers favor this MOSFET for its balance of performance and cost-effectiveness in industrial and consumer electronics applications.  

When integrating the 2SK1946-01MR into a circuit, proper heat management and gate drive considerations are essential to maximize efficiency and longevity. Its datasheet provides detailed specifications for optimal implementation, ensuring stable operation under varying load conditions.  

In summary, the 2SK1946-01MR is a versatile and reliable choice for designers seeking a high-efficiency power MOSFET for modern electronic systems.

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET The part 2SK1946-01MR is a MOSFET transistor manufactured by FUJITSU. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 60V
- **Drain Current (Id)**: 30A
- **Power Dissipation (Pd)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.025Ω (typical)
- **Package**: TO-220AB
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Applications**: Suitable for switching and amplification in power electronics, such as motor control, power supplies, and inverters.

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions and limits provided therein.