N-channel MOS-FET The part 2SK1937-01 is a MOSFET manufactured by FUJI. It is an N-channel enhancement mode field-effect transistor designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** 500V
- **Drain Current (Id):** 5A
- **Power Dissipation (Pd):** 30W
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **On-Resistance (Rds(on)):** 1.5Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss):** 300pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 50pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 10pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 30ns (typical)
- **Rise Time (tr):** 20ns (typical)
- **Fall Time (tf):** 30ns (typical)

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environmental factors.