2SK1936-01Manufacturer: FUJI N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
2SK1936-01,2SK193601 | FUJI | 1734 | In Stock |
Description and Introduction
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET **Introduction to the 2SK1936-01 Electronic Component**  
The **2SK1936-01** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power-switching applications. Known for its low on-resistance and high-speed switching capabilities, this component is widely used in power supply circuits, motor control systems, and other high-efficiency electronic designs.   With a robust voltage and current rating, the 2SK1936-01 ensures reliable operation in demanding environments. Its low gate charge and fast switching characteristics make it suitable for high-frequency applications, reducing power losses and improving overall system efficiency. The MOSFET also features a compact package, facilitating easy integration into various circuit layouts.   Engineers and designers often select the 2SK1936-01 for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness. Whether used in industrial automation, automotive electronics, or renewable energy systems, this component provides consistent performance under varying load conditions.   For optimal usage, proper thermal management and gate drive considerations should be taken into account to maximize efficiency and longevity. Datasheets and application notes provide detailed specifications to assist in circuit design and implementation.   In summary, the 2SK1936-01 is a versatile and efficient MOSFET, making it a preferred choice for modern power electronics applications. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips