N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications The part 2SK1924 is a field-effect transistor (FET) manufactured by Toshiba. It is an N-channel silicon epitaxial planar type FET. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vdss):** 200V
- **Drain Current (Id):** 0.1A
- **Power Dissipation (Pd):** 1.5W
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **Input Capacitance (Ciss):** 10pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 3.5pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 1.5pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 20ns (typical)
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SK1924 FET.

N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications The part 2SK1924 is a MOSFET transistor manufactured by SANYO. It is an N-channel enhancement mode silicon field-effect transistor. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vdss):** 200V
- **Drain Current (Id):** 0.5A
- **Power Dissipation (Pd):** 20W
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **On-Resistance (Rds(on)):** 5Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss):** 30pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 10pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 5pF (typical)
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

This MOSFET is commonly used in switching applications and power management circuits.