N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications The part 2SK1906 is a MOSFET transistor manufactured by SANYO. It is an N-channel enhancement mode silicon field-effect transistor designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V
- **Drain Current (I_D)**: 2A
- **Power Dissipation (P_D)**: 20W
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.5Ω (typical)
- **Input Capacitance (C_iss)**: 50pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 25ns (typical)

The transistor is commonly used in power management, DC-DC converters, and other high-efficiency switching applications. It is packaged in a TO-220 form factor.