N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications The part 2SK1895 is a power MOSFET manufactured by SANYO. It is designed for high-speed switching applications and features a low on-resistance, making it suitable for power management and amplification tasks. The MOSFET operates with a drain-source voltage (Vds) of up to 500V and a continuous drain current (Id) of 10A. It has a power dissipation (Pd) of 50W and is housed in a TO-220 package for efficient thermal management. The gate threshold voltage (Vgs(th)) is typically 3V, and the device is characterized by fast switching times, making it ideal for high-frequency applications.