Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Part number 2SK1827 is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Toshiba. Below are the key specifications for the 2SK1827:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 500V
- **Drain Current (I_D)**: 10A
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.45Ω (typical)
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1200pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 200pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns (typical)
- **Rise Time (t_r)**: 30ns (typical)
- **Fall Time (t_f)**: 20ns (typical)
- **Package**: TO-220SIS

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SK1827 MOSFET.