Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications The part number 2SK1826 is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Toshiba. Below are the key specifications for the 2SK1826:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 600V
- **Drain Current (Id)**: 10A
- **Power Dissipation (Pd)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±30V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.45Ω (typical)
- **Package**: TO-220SIS

These specifications are based on the typical characteristics of the 2SK1826 MOSFET as provided by Toshiba. For detailed performance characteristics and application notes, refer to the official datasheet from Toshiba.