N-channel MOS-FET The part 2SK1821-01M is a MOSFET manufactured by FUJ. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 500V
- **Drain Current (Id)**: 20A
- **Power Dissipation (Pd)**: 150W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.18Ω (typical)
- **Package**: TO-3P(N)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the conditions and limits defined therein.

N-channel MOS-FET The part number 2SK1821-01M is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Fujitsu. Below are the factual specifications for this component:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 500V
- **Drain Current (Id)**: 10A
- **Power Dissipation (Pd)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.45Ω (typical)
- **Package**: TO-3P
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Applications**: Suitable for high-speed switching applications, power supplies, and motor control.

These specifications are based on the typical characteristics of the 2SK1821-01M MOSFET as provided by Fujitsu.