Silicon N-Channel MOS FET The part 2SK1807 is a MOSFET transistor manufactured by Hitachi. It is an N-channel enhancement mode silicon gate field effect transistor. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** 500V
- **Drain Current (Id):** 5A
- **Power Dissipation (Pd):** 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **On-Resistance (Rds(on)):** 1.5Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss):** 600pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 100pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 10pF (typical)
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

These specifications are typical for the 2SK1807 MOSFET, and actual performance may vary based on operating conditions.

Silicon N-Channel MOS FET # Introduction to the 2SK1807 Electronic Component  

The **2SK1807** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. Known for its low on-resistance and high-speed switching capabilities, this component is widely used in power supplies, motor control circuits, and DC-DC converters.  

With a drain-source voltage (V_DSS) rating of 60V and a continuous drain current (I_D) of up to 30A, the 2SK1807 offers efficient power handling in compact designs. Its low gate charge and threshold voltage ensure minimal switching losses, making it suitable for high-frequency operations.  

The MOSFET features a robust TO-220 package, providing excellent thermal dissipation and mechanical durability. Engineers often choose the 2SK1807 for its reliability in demanding environments, including industrial and automotive applications where stable performance under varying conditions is essential.  

Key characteristics include fast switching speeds, low conduction losses, and strong avalanche energy tolerance. When integrated into circuit designs, proper heat management and gate drive considerations should be observed to maximize efficiency and longevity.  

Overall, the 2SK1807 is a versatile and dependable choice for power electronics, offering a balance of performance, durability, and cost-effectiveness.