MOS Field Effect Power Transistor The part number 2SK1796 is a MOSFET transistor manufactured by Toshiba. It is an N-channel MOSFET with a maximum drain-source voltage (Vds) of 500V and a continuous drain current (Id) of 10A. The device has a low on-resistance (Rds(on)) of 0.45Ω and is designed for high-speed switching applications. It is typically used in power supply circuits, inverters, and motor control systems. The package type is TO-220SIS, which is a surface-mount package with a heat sink for improved thermal performance.

MOS Field Effect Power Transistor The part 2SK1796 is a power MOSFET manufactured by NEC. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 500V
- **Drain Current (I_D)**: 8A
- **Power Dissipation (P_D)**: 100W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.9Ω (typical)
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1100pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 200pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 30pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 20ns (typical)
- **Rise Time (t_r)**: 50ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 100ns (typical)
- **Fall Time (t_f)**: 50ns (typical)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and represent the key electrical and thermal characteristics of the 2SK1796 MOSFET.