Discrete Semiconductors The part 2SK1792 is a Power MOSFET manufactured by Toshiba. It is designed for high-speed switching applications and features a low on-resistance and high-speed switching capability. The key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vdss):** 500V
- **Continuous Drain Current (Id):** 10A
- **Pulsed Drain Current (Idm):** 40A
- **Power Dissipation (Pd):** 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.45Ω (max) at Vgs = 10V, Id = 5A
- **Input Capacitance (Ciss):** 1200pF (typ)
- **Output Capacitance (Coss):** 200pF (typ)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 30pF (typ)
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typ)
- **Rise Time (tr):** 35ns (typ)
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typ)
- **Fall Time (tf):** 25ns (typ)

The 2SK1792 is available in a TO-220F package, which is a through-hole mounting type. It is suitable for applications such as switching power supplies, motor control, and other high-speed switching circuits.

Discrete Semiconductors The part number 2SK1792 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications based on Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: N-channel MOSFET.
2. **Package**: TO-220SIS.
3. **Drain-Source Voltage (Vds)**: 500V.
4. **Drain Current (Id)**: 10A.
5. **Power Dissipation (Pd)**: 50W.
6. **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±30V.
7. **On-Resistance (Rds(on))**: 0.45Ω (typical) at Vgs = 10V.
8. **Input Capacitance (Ciss)**: 1200pF (typical).
9. **Output Capacitance (Coss)**: 150pF (typical).
10. **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 20pF (typical).
11. **Turn-On Delay Time (td(on))**: 15ns (typical).
12. **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 50ns (typical).
13. **Rise Time (tr)**: 30ns (typical).
14. **Fall Time (tf)**: 30ns (typical).

These specifications are provided for reference and are subject to the datasheet and application notes from Toshiba.

Discrete Semiconductors The part 2SK1792 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 500V
- **Drain Current (Id)**: 10A
- **Power Dissipation (Pd)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.45Ω (typical)
- **Package**: TO-220F (isolated type)
- **Applications**: Suitable for switching power supplies, motor drives, and other high-voltage applications.

These specifications are based on Toshiba's datasheet for the 2SK1792 MOSFET.