Low Noise Audio Amplifier Applications The 2SK170-BL is a JFET (Junction Field-Effect Transistor) manufactured by Toshiba. Below are the key specifications for the 2SK170-BL:

- **Type**: N-channel JFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 40V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±40V
- **Drain Current (Id)**: 10mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 400mW
- **Gate-Source Cutoff Voltage (Vgs(off))**: -0.3V to -1.5V
- **Drain-Source On-Resistance (Rds(on))**: 30Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 30pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 10pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 5pF (typical)
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C

The 2SK170-BL is known for its low noise and high gain characteristics, making it suitable for audio and other low-noise applications.

Low Noise Audio Amplifier Applications The 2SK170-BL is a JFET (Junction Field-Effect Transistor) manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type**: N-channel JFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 40V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±40V
- **Drain Current (Id)**: 10mA
- **Power Dissipation (Pd)**: 400mW
- **Input Capacitance (Ciss)**: 30pF
- **Output Capacitance (Coss)**: 10pF
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 5pF
- **Noise Figure (NF)**: 1dB (typical)
- **Transconductance (gfs)**: 20mS (typical)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SK170-BL JFET.