N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications The 2SK1690 is a N-channel MOSFET manufactured by Toshiba. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vdss):** 60V
- **Continuous Drain Current (Id):** 30A
- **Pulsed Drain Current (Idm):** 120A
- **Power Dissipation (Pd):** 100W
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.028Ω (max) at Vgs = 10V
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF (typ)
- **Output Capacitance (Coss):** 600pF (typ)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF (typ)
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns (typ)
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C
- **Package:** TO-220SIS

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.