N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET The part 2SK1663 is a power MOSFET manufactured by FEC (Fuji Electric Co., Ltd.). The key specifications for the 2SK1663 MOSFET are as follows:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V
- **Drain Current (I_D):** 10A
- **Power Dissipation (P_D):** 50W
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (typical) at V_GS = 10V
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)
- **Package:** TO-220F

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to the operating conditions specified therein.