MOS field effect transistor The part 2SK1657-T2B is a MOSFET transistor manufactured by NEC. It is designed for high-speed switching applications and features a low on-resistance, making it suitable for power management and amplification tasks. The transistor operates with a drain-source voltage (Vds) of up to 500V and a continuous drain current (Id) of 10A. It has a gate threshold voltage (Vgs(th)) typically around 3V and a maximum power dissipation of 50W. The 2SK1657-T2B is packaged in a TO-220AB form factor, which is commonly used for power transistors.