Silicon N-Channel MOS FET The part 2SK1622 is a power MOSFET manufactured by HITACHI. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vdss)**: 900V
- **Drain Current (Id)**: 5A
- **Power Dissipation (Pd)**: 100W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±30V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 3.5Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 600pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 60pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 10pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 20ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 60ns (typical)
- **Rise Time (tr)**: 30ns (typical)
- **Fall Time (tf)**: 50ns (typical)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on typical operating conditions and may vary depending on the specific application and environment.

Silicon N-Channel MOS FET The part 2SK1622 is a power MOSFET manufactured by Hitachi. Here are the key specifications:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 900V
- **Drain Current (Id)**: 5A
- **Power Dissipation (Pd)**: 100W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 2.5Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 600pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 100pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 10pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 20ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 100ns (typical)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.