V(dss): 800V; silicon N-channel powe F-MOS FET. For high-speed switching, for high frequency power amplification The part 2SK1611 is a field-effect transistor (FET) manufactured by Panasonic. It is an N-channel junction FET (JFET) designed for low-noise amplification applications. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** 40V
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** 40V
- **Drain Current (Id):** 10mA
- **Power Dissipation (Pd):** 200mW
- **Input Capacitance (Ciss):** 5pF (typical)
- **Noise Figure (NF):** 1.5dB (typical) at 1kHz
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C

It is commonly used in audio and RF circuits due to its low noise characteristics.