Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (pi-MOSII -5) Chopper Regulator Applications The 2SK1489 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V
- **Drain Current (I_D)**: 9A
- **Power Dissipation (P_D)**: 100W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.9Ω (typical)
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1200pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 200pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 20ns (typical)
- **Rise Time (t_r)**: 50ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 100ns (typical)
- **Fall Time (t_f)**: 50ns (typical)
- **Package**: TO-3P

These specifications are based on typical operating conditions and may vary depending on the specific application and environment.

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (pi-MOSII -5) Chopper Regulator Applications The part 2SK1489 is a power MOSFET manufactured by Toshiba (TOS). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 60V
- **Drain Current (Id)**: 30A
- **Power Dissipation (Pd)**: 100W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.03Ω (typical)
- **Package**: TO-220AB

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and represent the key electrical and thermal characteristics of the 2SK1489 MOSFET.