TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE (L2-PI-MOSIII) RELAY DRIVE, DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS The part 2SK1382 is a MOSFET transistor manufactured by Toshiba (TOS). Below are the key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 60V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **Drain Current (Id)**: 30A
- **Power Dissipation (Pd)**: 100W
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.035Ω (max) at Vgs = 10V
- **Gate Threshold Voltage (Vth)**: 1.0V to 2.5V
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1500pF (typ)
- **Output Capacitance (Coss)**: 500pF (typ)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 100pF (typ)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the datasheet provided by Toshiba for the 2SK1382 MOSFET.

TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE (L2-PI-MOSIII) RELAY DRIVE, DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS The 2SK1382 is a MOSFET transistor manufactured by Toshiba. Here are the key specifications:

- **Type:** N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds):** 500V
- **Drain Current (Id):** 10A
- **Power Dissipation (Pd):** 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.45Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss):** 1000pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 200pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)
- **Package:** TO-220SIS

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.