Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (pi-MOSII -5 ) Switching Power Supply Applications Part 2SK1365 is a power MOSFET manufactured by TOSHIBA. Below are the key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 600V
- **Drain Current (I_D)**: 5A
- **Power Dissipation (P_D)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 2.5Ω (max) at V_GS = 10V
- **Input Capacitance (C_iss)**: 300pF (typ)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 50pF (typ)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 10pF (typ)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns (typ)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns (typ)
- **Package**: TO-220F

These specifications are based on TOSHIBA's datasheet for the 2SK1365 MOSFET.