Silicon N-Channel MOS Type / High Speed / High Current Switching Applications The **2SK1363** from **TOSHIBA** is a high-performance **N-channel MOSFET** designed for power switching applications. This component is engineered to deliver efficient power management with low on-state resistance (*RDS(on)*) and high-speed switching capabilities, making it suitable for a variety of industrial and consumer electronics.  

Featuring a **500V drain-source voltage (VDSS)** rating, the 2SK1363 is ideal for applications requiring robust voltage handling, such as power supplies, motor control, and inverters. Its low gate charge (*Qg*) ensures reduced switching losses, enhancing overall system efficiency. Additionally, the MOSFET incorporates a built-in fast recovery diode, contributing to improved reliability in high-frequency circuits.  

The 2SK1363 is housed in a **TO-3P(N)** package, providing excellent thermal dissipation for high-power operations. Its rugged construction ensures durability under demanding conditions, making it a dependable choice for engineers seeking a balance between performance and longevity.  

With its combination of high voltage tolerance, low conduction losses, and fast switching characteristics, the 2SK1363 stands as a versatile solution for modern power electronics, meeting the evolving demands of energy-efficient designs.