- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 500V
- **Drain Current (I_D)**: 12A
- **Power Dissipation (P_D)**: 100W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.45Ω (typical)
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1200pF (typical)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 200pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 30pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 50ns (typical)
- **Rise Time (t_r)**: 30ns (typical)
- **Fall Time (t_f)**: 30ns (typical)
- **Package**: TO-3P

These specifications are based on typical operating conditions and may vary depending on the specific application and environment.

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 600V
- **Drain Current (Id)**: 10A
- **Power Dissipation (Pd)**: 100W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.45Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1200pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 200pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 20pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 20ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 60ns (typical)
- **Rise Time (tr)**: 30ns (typical)
- **Fall Time (tf)**: 50ns (typical)
- **Package**: TO-3P

These specifications are based on typical operating conditions and may vary depending on the specific application and environment.