Silicon N-Channel MOS FET The part 2SK1335 is a power MOSFET transistor manufactured by Hitachi. It is designed for high-speed switching applications and features a low on-resistance, high voltage capability, and fast switching speed. The key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** 900V
- **Drain Current (Id):** 5A
- **Power Dissipation (Pd):** 100W
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **On-Resistance (Rds(on)):** 2.5Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss):** 500pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss):** 50pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 10pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 20ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 100ns (typical)
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

These specifications are based on the typical values provided by Hitachi for the 2SK1335 MOSFET.

Silicon N-Channel MOS FET The part 2SK1335 is a power MOSFET manufactured by HITACHI. It is designed for high-speed switching applications and features a low on-resistance, high voltage capability, and fast switching speed. The device is typically used in power supply circuits, motor control, and other high-efficiency applications. Key specifications include a drain-source voltage (Vds) of 500V, a continuous drain current (Id) of 10A, and a power dissipation (Pd) of 50W. The MOSFET also has a low gate threshold voltage (Vgs(th)) and is packaged in a TO-220 form factor for easy mounting and heat dissipation.