Silicon N-Channel MOS FET The part number **2SK1317** is a MOSFET transistor manufactured by **Renesas Electronics**. Below are the factual specifications based on available knowledge:

- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Package**: TO-220F  
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 500V  
- **Drain Current (Id)**: 8A  
- **Power Dissipation (Pd)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±30V  
- **On-Resistance (Rds(on))**: 1.2Ω (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss)**: 600pF (typical)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This MOSFET is designed for high-voltage switching applications and is commonly used in power supplies, inverters, and motor control circuits.

Silicon N-Channel MOS FET **Introduction to the 2SK1317 Electronic Component**  

The **2SK1317** is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient switching and amplification applications. Known for its low on-resistance and high-speed switching capabilities, this component is widely used in power supply circuits, motor control systems, and other high-frequency applications.  

With a robust voltage and current rating, the 2SK1317 ensures reliable operation in demanding environments. Its low gate charge and minimal conduction losses contribute to improved energy efficiency, making it suitable for both industrial and consumer electronics.  

The MOSFET features a compact package, ensuring ease of integration into various circuit designs while maintaining thermal stability. Engineers often favor the 2SK1317 for its balance of performance, durability, and cost-effectiveness.  

Whether utilized in DC-DC converters, inverters, or load-switching circuits, the 2SK1317 delivers consistent performance, making it a versatile choice for modern electronic systems. Its specifications align with industry standards, ensuring compatibility with a broad range of applications.  

For designers seeking a dependable power MOSFET, the 2SK1317 remains a practical solution for enhancing circuit efficiency and reliability.