- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 500V
- **Drain Current (Id)**: 10A
- **Power Dissipation (Pd)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.45Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1200pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 200pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 20pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 20ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 50ns (typical)
- **Rise Time (tr)**: 30ns (typical)
- **Fall Time (tf)**: 20ns (typical)

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 500V
- **Drain Current (Id)**: 10A
- **Power Dissipation (Pd)**: 100W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.5Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1000pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 200pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 50pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 20ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 100ns (typical)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.

The **2SK1307** is a high-performance N-channel power MOSFET designed by **TOSHIBA**, offering efficient switching and power handling capabilities for a variety of electronic applications. This component is engineered to deliver low on-state resistance (*RDS(on)* and high-speed switching, making it suitable for power supply circuits, motor control, and DC-DC converters.  

With a **drain-source voltage (VDS)** rating of **500V** and a **continuous drain current (ID)** of **10A**, the 2SK1307 provides robust performance in demanding environments. Its low gate charge ensures reduced switching losses, enhancing overall system efficiency. The MOSFET also features a **low threshold voltage**, allowing for compatibility with low-voltage drive circuits.  

Encased in a **TO-220F package**, the 2SK1307 offers excellent thermal dissipation, ensuring reliable operation under high-power conditions. Its rugged construction and high durability make it a preferred choice for industrial and consumer electronics applications.  

TOSHIBA's 2SK1307 exemplifies precision engineering, combining high-voltage tolerance with efficient power management. Whether used in switching regulators or inverter circuits, this MOSFET delivers consistent performance, making it a dependable component for modern electronic designs.