2SK1303-EManufacturer: RENESAS Silicon N Channel MOS FET | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
2SK1303-E,2SK1303E | RENESAS | 824 | In Stock |
Description and Introduction
Silicon N Channel MOS FET # Introduction to the 2SK1303-E Electronic Component  
The **2SK1303-E** is a high-performance N-channel power MOSFET designed for efficient switching and amplification applications. Known for its low on-resistance and high-speed switching capabilities, this component is widely used in power supply circuits, motor control systems, and DC-DC converters.   With a drain-source voltage (VDSS) rating of **500V** and a continuous drain current (ID) of **10A**, the 2SK1303-E offers robust performance in demanding environments. Its low gate charge and fast switching characteristics make it suitable for high-frequency operations while minimizing power losses.   The MOSFET features a **TO-220F** package, ensuring effective heat dissipation and mechanical stability. Engineers often select this component for its reliability in industrial, automotive, and consumer electronics applications where efficiency and durability are critical.   Key parameters such as low threshold voltage and high avalanche energy tolerance further enhance its suitability for power management tasks. Whether used in inverters, switching regulators, or electronic load controllers, the 2SK1303-E provides a dependable solution for modern electronic designs.   By balancing performance with cost-effectiveness, this MOSFET remains a preferred choice for designers seeking high-voltage handling and efficient power control. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips