Silicon N-Channel MOS FET Part number 2SK1299L is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) manufactured by Hitachi. Below are the key specifications for the 2SK1299L:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 500V
- **Drain Current (Id)**: 10A
- **Power Dissipation (Pd)**: 50W
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.5Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss)**: 1000pF (typical)
- **Output Capacitance (Coss)**: 200pF (typical)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 50pF (typical)
- **Turn-On Delay Time (td(on))**: 20ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (td(off))**: 50ns (typical)
- **Rise Time (tr)**: 30ns (typical)
- **Fall Time (tf)**: 40ns (typical)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.

Silicon N-Channel MOS FET Part number 2SK1299L is a MOSFET transistor manufactured by Hitachi (HIT). Here are the key specifications:

- **Type**: N-channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (Vds)**: 60V
- **Gate-Source Voltage (Vgs)**: ±20V
- **Drain Current (Id)**: 10A
- **Power Dissipation (Pd)**: 30W
- **On-Resistance (Rds(on))**: 0.15Ω (typical)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on standard operating conditions and typical values provided by Hitachi. Always refer to the official datasheet for precise details and application guidelines.

Silicon N-Channel MOS FET The part 2SK1299L is a MOSFET transistor manufactured by Hitachi. It is designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Drain-Source Voltage (Vds):** 60V
- **Drain Current (Id):** 30A
- **Power Dissipation (Pd):** 100W
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.03Ω (typical)
- **Input Capacitance (Ciss):** 1200pF (typical)
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.